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IN2FAB JOINS GLOBALFOUNDRIES FDXCELERATOR™ PARTNER PROGRAM
IN2FAB, 東京ナノファーム提携拡張
ノースアンプトン、イギリス、2018年10月2日、
東京、日本、2018年6月4日 共同発表
IN2FAB Technologyは、アナログおよびミックスドシグナル設計のポーティングを、GLOBALFOUNDRIESのFDXcelerator™パートナープログラムに加わりました。IN2FABの回路ポーティング技術は、FD-SOIテクノロジへのIPの移行を短時間に実現します。
N2FABは、事業を拡大に伴い新しい北米事務所の開設を発表しました。同センターは、ヨーロッパにある同社の既存施設と連携して事業拡拠点になる予定です。ニューイングランドの半導体地域に位置するこの新しいセンターは、ファウンドリとプロセスの間で半導体IPを移行する複雑な問題を解決する技術の提供に専念する予定です。
IN2FAB Technologyは、外部プロセスから22nm FD-SOIプラットフォームへのIP転送を可能にするために、GLOBALFOUNDRIES（ "GF"）FDXcelerator™パートナープログラムに参加したことを本日発表しました。 IN2FABの移行ツールとサービスにより、ファブレス企業やIPベンダーは、既存の製品をGFの22FDX®テクノロジの要件を満たすように適合させ、再設計に必要な時間のほんの一部で市場投入することができます。
IN2FABはOSIRIS設計ツールを拡張し、回路図、テストベンチおよびレイアウトデータをバルクシリコンプロセスからFD-SOIに転送するフローを作成しました。ソース回路は、他のGFプロセスから、または第三者ファウンドリによって最初に作られた設計から来ることができます。移行フローでは、スケマティックおよびレイアウト変換の両方でGFプロセス設計キット（PDK）のコンポーネントを使用して、結果として得られるデータベースに完全にファウンドリに準拠したコンポーネントおよびモデルが含まれるようにします。
設計移行により、他のプロセス用に構築された既存のIPデータベースを調整して、新しい製造元の要件を満たすことができます。元の回路のトポロジと階層を維持することで、エンジニアはゼロから再出発するのではなく、確立されたデータの調整に集中することができます。これにより、時間とお金の両方が節約され、IPベンダーが製品をより広範な市場に投入する新たな機会が開かれます。
IN2FABの社長、Timothy Regan氏は次のように述べています。「GFとの既存のパートナーシップを拡大し、22FDXプラットフォームで協力して大変光栄です。 GF FD-SOIプロセスは、設計者が優れた性能と電力管理機能を利用可能にします。デザイン・マイグレーションは、IPベンダーやファブレス企業が22FDXへの移行を加速するための理想的です。当社は、この優れたテクノロジーに製品を移行することに貢献できることを誇りに思っています。」
IN2FAB extends partnership with Tokyo Nano Farm
IN2FAB, 東京ナノファーム提携拡張
ノースアンプトン、イギリス、2018年5月30日、
東京、日本、2018年6月4日 共同発表
IN2FAB Technology (Northampton, UK, www.in2fab.com)は、IN2FABの回路図およびテストベンチ・マイグレーション・ソフトウェアツールのサポートに加えて、IN2FABのアナログおよびアナログ混載設計移行サービスを東京ナノファーム(www.tokyoNF.com)との提携を拡張しました。これにより、日本地域において、シリコンIPを新しいプロセスやファウンドリに移行することを希望するお客様への新しいサービスを提供いたします。
日本は長年において半導体設計の豊富な経験、およびシリコンIP、設計回路、ライブラリなどの膨大な資産を構築してきました。これらの、特にIDM(垂直統合型デバイスメーカー)においては多くは古いプロセス技術で設計されており、これらを新しいプロセスや外部ファンドリーに移行することが、IN2FABの設計移行システムを活用することにより、極めて短時間で実現可能になります。
東京ナノファームは、IN2FABの回路図移行ツールの提供に加えて、IPおよびフルチップの回路図およびレイアウトを新しいプロセスに移行することをご希望のお客様に、IN2FABの設計サービスを提供いたします。これにより、再設計に要する時間に対して極めて短時間・低コストで新しいプロセス技術への移行を実現いたします。
IN2FAB社長のTimothy Reganは、「東京ナノファームとの関係を拡大し、日本の顧客をサポートすることができて非常にうれしく思います。IN2FABの長年の半導体業界での経験に加え、お客様のニーズに対する東京ナノファームの経験・知識は、より多くのお客様がシリコンIPの製造プロセスの移行に向け的確にサポートできます。」とコメントしています。
さらに、「アナログとミックスドシグナルのIPベンダは、ファンドリー向けの多くのIP製品、契約ファンドリーとの設計サービスを持っていますが、日本のIDM企業で使用可能な外部IPは提供が十分ではありません。今回の提携は、これら世界のIPベンダーにおいて、日本市場への参入を加速するものと考えています。」
東京ナノファーム社長の横川秀美は「日本でのIN2FABのユニークな技術を促進することを非常に光栄に思っています。日本の半導体メーカーの大部分は、IN2FABソリューションにより再利用できる自社開発のIP、ICを持っていると思われます。」さらに「独自のプロセス設計ツールとルールを持っている日本のお客様へ外部IPベンダーが製品を提供する新たなビジネス機会をもたらすと考えています。設計ツール、IPプロバイダー、およびの設計サービスとパートナの関係をさらに深め日本のお客様に対して設計のソリューションの提供に注力していきます。」
IN2FAB opens new facility in the United Kingdom
新しい開発センターにより、FinFETと先進のシリコン技術のサポートが強化
ノースアンプトン、イギリス、2018年3月15日
IN2FAB Technologyは、FinFET技術を含む先進的なプロセス間の設計移行ツールの開発を加速するために、英国における新施設の開設を発表しました。このセンターは、ファウンドリとプロセス間の回路を移動するための回路図、テストベンチおよびレイアウトデータを変換するIN2FABの既存の移行ソフトウェアをサポートします。
先進プロセスは設計者や設計ツールにとって設計の複雑さを劇的に増加しました。 IN2FABのPDKベースの移行技術により、すでに設計された回路を新しくファウンドリで生成されたコンポーネントを回路全体で使用を容易にし、元のデザインの構造の完全互換性を維持することを可能にします。
「先進的な回路技術は、SoCの生産者とIP企業にさらに大きなプレッシャーをかけています。高度なプロセスでの設計サイクルは増加し、既存の回路を新しいファウンドリまたはプロセスに変換することがますます魅力的になりました。当社の新しいテクノロジーセンターは、最先端の移行ツールの開発を加速し、市場に完全なFinFET移行機能を提供します。」とIN2FABのTimothy Regan会長は述べています
当施設は、世界中のお客様のためのサービス拠点としてIPの設計サービスのためのIN2FABの設計移行センターの新しいホームになります。さらに新しい高度なIN2FABの設計ツールは、このセンターでの活動をさらに強化拡張された設計処理が可能になります。 「FinFETのIPの量は急速に増えており、企業は可能な限り幅広いプロセスやファウンドリの製品を提供する必要があります」とRegan氏は付け加えました。 「デザイン・マイグレーションにより、時間と費用をかけずに新しいライセンス供与の機会を利用できるようになります」
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電話：070-1360-8586
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